Оперативная память

Оперативная память

 


 
Полезные ссылки:

Память DDR4: время ли разбрасывать камни?
Модули памяти компании Kingston Technology
Модули памяти компании Patriot Memory
Модули памяти компании Micron Technology
Модули памяти компании Corsair
Обзор и тестирование высокочастотной DDR3-памяти.
Обзор и тестирование высокочастотной DDR3-памяти. Часть 2

 


 

8 комментариев

  1. DDR3L

    JEDEC официально утвердил DDR3L — стандарт оперативной памяти с низким энергопотреблением. Спецификации DDR3L регламентируют напряжение модулей памяти 1,35 В вместо 1,5 В в стандартных модулях DDR3. Память DDR3L потребляет на 15% меньше энергии, чем DDR3, и на 40% меньше, чем DDR2.

  2. Wide I/O mobile DRAM

    JEDEC Solid State Technology Association объявила о готовности стандарта Wide I/O mobile DRAM. Стандарт, описывающий объемную компоновку кристаллов с применением технологии Through Silicon Via, уже называют революционным. Память, соответствующая спецификациям JESD229, найдет применение в смартфонах, планшетах, карманных игровых консолях и других мобильных электронных устройствах. Максимальная пропускная способность новой памяти будет равна 17 ГБ/с.

  3. Высокоскоростная энергонезависимая резистивная память с произвольным доступом ReRAM

    Elpida представила прототип нового типа памяти, которая сможет дать новый импульс для развития вычислительной техники. Суть технологии состоит в использовании материала, меняющего свое электрическое сопротивление под воздействием изменения напряжения. Скорость работы представленного прототипа ReRAM примерно равна скорости использующейся сейчас DRAM, но, в отличие от последней, информация в ячейках памяти не пропадает при отключении питания. В разработке нового типа памяти участвовали Sharp, Университет Токио и Японский национальный научно-технологический институт. Elpida планирует выпускать новую память серийно уже в 2013 году.

  4. DDR3L Reduced Standby

    Компания SK Hynix разработала экономичную память DDR3L Reduced Standby. Новые чипы выполнены по техпроцессу 20-нм и позволяют сократить потребляемую мощность в режиме ожидания до 70% по сравнению с DDR3L. Напряжение питания DDR3L-RS составляет 1,35 В, как и у обычной памяти типа DDR3L. В продажу поступят модули SO-DIMM ёмкостью 2, 4 и 8 ГБ.

  5. Hybrid Memory Cube

    HMC

    Компания Micron Technology планирует начать массовое производство памяти Hybrid Memory Cube (HMC) в 2014 году. Работа HMC основана на технологии формирования многослойных чипов с медными каналами в их структуре, выполняющими функции проводников. HMC позволит увеличить производительность подсистемы памяти в 15 раз при уменьшенном на 70% энергопотреблении и экономии пространства на 90% по сравнению с памятью типа DDR3. Заявленная пропускная способность чипа достигает 160 Гбайт/с. Доступ к памяти осуществляется по новому интерфейсу со скоростью передачи данных до 1 Тбит/с.

  6. LPDDR3

    Компания SK Hynix объявила о выпуске 6-Гбит микросхем оперативной памяти типа LPDDR3 с использованием 20-нм техпроцесса. Новая память работает со скоростью 1866 Мбит/с при напряжении питания 1,2 В и в режиме ожидания на 30% экономичнее 4-Гбитных чипов. Пропускная способность в двухканальном режиме — 14,8 ГБайт/с.

  7. Patriot Memory Viper Xtreme Edition

    HMC

    Компания Patriot Memory объявила о выпуске серии четырёхканальных наборов оперативной памяти DDR4 суммарным объемом 16 и 32 ГБ с поддержкой Intel XMP 2.0 для систем на чипсетах Intel X99. Рабочая частота от 2400 (PC4-19200) до 3000 МГц (PC4-24000) при напряжении питания 1,2-1,35 В.

  8. HBM

    HBM

    Использование традиционной памяти DRAM при производстве видеокарт приближает время, когда общий уровень производительности упрётся в производительность подсистемы памяти. Дальнейшее совершенствование памяти GDDR5 неэффективно с точки зрения как производительности, так и энергопотребления. Потратив 7 лет на разработку, компании AMD и SK Hynix анонсировали новый стандарт памяти High Bandwidth Memory (HBM) с очень высокой плотностью упаковки: 1 Гбайт HBM занимает 5х7мм (сравните с 24х28мм для GDDR5). Использование HBM позволяет повысить производительность подсистемы памяти на 300%. AMD планирует использовать память HBM в решениях на базе графического процессора нового поколения Fiji.

Leave a Comment